【KIRD-189】ロリカワGALご奉仕ナース 大量ぶっかけザーメンシャワー病棟 May iPhone或将改用QLC闪存 捐躯速率和长久性琢磨高容量存储
发布日期：2024-07-26 03:02 点击次数：89
【太平洋科技快讯】近日，有音书夸耀称公司正酝酿在2026年推出的iPhone产物中使用QLC NAND(四层单位闪存)时刻，此举将使iPhone的存储上限提高至2TB，关联词QLC NAND的读写速率低于TLC NAND，且耐用性较差【KIRD-189】ロリカワGALご奉仕ナース 大量ぶっかけザーメンシャワー病棟 May，写入周期较TLC少。但在存储容量方面，QLC NAND具有较着上风，如若苹果不竭推论这一意象，一些高容量版块的iPhone 用户可能会遭遇数据写入速率低于低容量用户的情况。
QLC NAND相较于现时iPhone使用的TLC NAND(三层单位闪存)，每个存储单位可存储4bit数据，存储密度提高33%。这一升级将为用户提供更大的存储空间。
图片专区QLC NAND主要用于初学级耗尽者固态硬盘和大容量存储应用。固然其长久度相对较低，但足以抖擞日常使用需求，使得固态硬盘在更平方的用户群体中普及。
据了解，苹果公司还在商酌若何诈欺NAND存储大型话语模子(LLMs)，以便在土产货运转更多AI任务。汲取QLC NAND可能有助于提高Apple Intelligence的性能线路。
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